질문 ::



CCP?


ICP?


TCP?


위 3가지 type에 자세한 설명을 부탁드립니다


감사합니다




답변 ::




자세한 설명은 이미 설명드린 사항을 참고하시기 바랍니다.


CCP=capcitively coupled plasma source


oscillated electrice field 에 의한 breakdown이 주요 발생원이며


전극 근방에서 oscillated sheath에서의 전자 가열이 플라즈마 밀도를


높이게 됩니다.


ICP=inductively coupled plasma source


이름 그대로 안테나 전류에서 발생되는 자기장에 의한 유도 기전력에


의한 전자의 가속으로 전자에너지가 커지고 충돌에 의해 플라즈마가


발생하게 됩니다. 따라서 안테나 근방의 전자기장이 삽입되는 영역에서


전자가열이 크고 플라즈마가 발생하여 공간내로 퍼지게 됩니다.


CCP와의 차이는 전자가 에너지를 받는 길이 CCP는 전극과 전극사이


길을 통하며, ICP는 공간내의 원형길을 따라서 생성됨으로 생성효율이


좋게 됩니다.




TCP는 ICP의 한 형태로 생각해도 무방합니다. TCP는  ICP의 일부를 변형시킨 Lam사의 장비의 고유이름입니다. 플라즈마 발생 메카니즘은


ICP와 동일합니다.