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Deposition

플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage]

작성자
TFEML
작성일
2012-09-24
조회
8591

 

 

안녕하십니까,

저는 한양대학교 신소재공학과에서 석박 생활을 하고 있는 학생입니다.

 

다름이 아니오라 제가 진행하고 있는 실험에 대하여 소자 특성저하에 여러가지 변수 중

플라즈마 데미지 라는 부분을 확인해 보기 위하여 검색을 하다가 플라즈마 응용연구실 Q&A 를 이용하게 되었습니다.

 

저는 TFT를 연구하고 있는데, 궁금한점이 있습니다.

 

Passivation- Free 상태의 TFT 즉 바텀 게이트를 이용하는 TFT의 채널층이 노출된 상태에서

 

PECVD 를이용하여 40W 100도 공정을 이용하여 약 1시간 정도SiNx 를 Deposition 할 경우

처음에 열려 있는 채널층에 플라즈마 데미지에 의하여 이온이 차지가 된다거나 기타 다른 차지들이 채널층에

데미지를 줄 수 있을까요../?

 

궁금한 마음이 급하여 두서없이 작성했습니다.

 

혹 실례가 되지 않는다면 답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.

전체 1
  • 2013-09-13 12:44
    charge 축적은 충분히 일어날 수 있습니다. 하지만 이것이 damage를 만드는 가에 대해서는 잘 알지 못합니다. 만인 demage문제라 생각된다면 pulse mode 운전을 추천하는데 전원 기능이 이를 따를 지 궁금합니다. 아울러 damge의 특성이 조사된 것이 있다면 자료와 장치 구조에 대한 자료를 함께 볼 수 있으면 좀 더 상세한 논의가 가능할 것 같습니다.
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