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Matcher

ETCH 관련 RF MATCHING중 REF 현상에 대한 질문입니다. [플라즈마 응답 특성]

작성자
작성일
2013-06-15
조회
9343

안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 신입ENG'R 입니다.

질문이 있어 찾아오게 되었습니다.

ETCH설비에서 특정 공정을 진행시키면 Step 중간에 TCP 및 BIAS REF 값이 튀는 현상이 발생하였고 

RF MATCHING 과정에 문제가 있다 판단되어 원인을 찾던 중 RF Generator와 MATCHER BOX 사이의 Coxial Cable

길이가 다름을 확인 할 수 있었습니다.

그리하여 교체 후 정상이 됨을 확인 할 수 있었지만 회사 선배님들은 STEP 중간에 REF 값이 흔들리는 경우가 드물다고 하며

원인을 모르겠다고합니다. 그 원인을 저에게 찾아오라고하네요 ^^;;; 도움이 필요합니다~!! 

 

1. Coxial cable 길이가 Impedence Matching에 영향을 주는건 알겠는데 왜 Etch step 초반에는 Ref값이 정상이다가

    Step 중간부터 흔들리고 튀는 현상이 발생하는가??

2. 만약 Coxial cable 문제라면 타 ETch 공정시에서는 영향을 주지않고 왜 특정 공정에서만 발생하는가?

    (즉, Coxial Cable의 길이가 ETCH공정에 어떠한 영향을 주는가??)   입니다.

 

저도 따로 공부를 하고있지만 더 정확한 지식을 얻고자 도움을 요청합니다~ ^^:;; 정말 감사합니다. 

전체 1
  • 2016-05-27 12:02

    1. RF제너레이터의 전력 안정시 응답 특성과 플라즈마의 인가 전력에 따른 응답 특성이 다른데,

    서로 증폭되는 방향으로 맞춰질 경우 전력안정화에 문제가 생깁니다.

    2. 플라즈마 특성 상 하모닉스 성분이 발생할 경우 Ref로 인식될 수 있습니다.

    위의 두 상황에 대한 대응으로 Coaxial Cable의 길이를 변경하여 개선할 수 있습니다.

    자세한 내용은 RF 공급업체에 문의 하시면 답변을 얻으실 수 있습니다.