Q&A

Q&A 게시판은 현재 아카이브 용도로만 유지되고 있으며 새로운 질문은 받지 않습니다. 질문사항이 있을 경우 seolhye.eedf@snu.ac.kr로 교수님께 이메일을 보내주시기 바랍니다.

The Q&A board is now kept as an archive only and no longer accepts new questions. If you have any questions, please email Prof. Seolhye Park at seolhye.eedf@snu.ac.kr.

Etch

Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]

작성자
작성일
2016-03-02
조회
6795

안녕하세요? nano imprint 및 etching을 이용하여 패턴 가공을 하는 직장인 입니다.

Al 에칭 시 전체적인 Uniformity가 잘나오지 않습니다. 항상 한쪽으로(같은 방향) 쏠리어 에칭이 됩니다.

여러 조건들 SRC,Bias 파워,유량 조절, 압력 조절 등 조건 변경하여 해보았으나 마찬가지 형태로 진행이 됩니다.

Etcher 장비는 최대 8inch 까지 가능한 장비이며 에칭 가스는 Cl2, BCl3 사용 중입니다.

 

uniformity 개선 관련하여 어떠한 방법이 있을까요?

전체 2
  • 2016-03-02 20:04

    장치 구조와 발생 방법등 해석에 고려할 바는 매우 많아 단순히 답을 하기 어렵습니다. 다만 장치가 갖고 있는 플라즈마 분포를 관찰해 볼 수가 있다면 (장비 제조 회사가 제공하는 자료 기반으로) 장치가 갖고 있는 태생적 문제 등을 판단해 볼 수 있겠고 (예를 들어서 VHF를 쓰고 있다면 standing wave 효과로 인한 (플라즈마 물리적 현상) 문제로 볼 수 있겠습니다.) 직관적으로는 gas flow 등의 shower head 의 구조 및 전극의 구조, 펌프의 위차, load lock에 의한 boundary 의 비대칭성, 전극의 열 분포, 및 바이어스 접지 등의 구조적 문제인지 판단할 수 있을 것입니다.

    다음 부터는 실명을 사용해 주세요!

  • 2016-03-03 09:20

    감사합니다.