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Deposition
RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
작성자
작성일
2017-08-14
조회
3991
안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.
최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.
PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....
다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.
CCP 형의 플라즈마 원에서 주파수가 커지면 heating 효율이 증가하여 플라즈마 밀도와 가열 전자가 많아 지게 됩니다. 따라서 해리와 이온화 모두 증가하므로 공정이 빨라질 수가 있겠습니다. (정량적으로 그 크기 변화는 미약하지만 결과는 많이 차이가 나게 됩니다). 하지만 가열 전자가 많은 것은 박막 성질에 그리 좋지가 았을 수도 있겠고 과다한 해리도 막질에 영향을 미칠 수가 있겠습니다. 따라서 이 경우 오히려 제어 범위가 줄어들 확률이 높아질 수도 있겠습니다.