홈에 형성되는 particle 제거는 아마도 큰 이슈일 것이며, 공정 경험을 통해서 제어할 수 밖에 없을 것 같습니다. 표면 보다 측면에 형성 입자가 클 수 밖에 없는 이유는 표면에서는 입자 형성이 힘들며 수직으로 입사되는 이온에 의해 피막 형성이 매우 더딜 것이기 때문입니다. 하지만 측면에는 반응입자들이 잘 빠져나가지 못하고 가두어짐으로서 큰 입자로 성장할 조건이 만들어 지게 됩니다. 더우기 골 사이에서 플라즈마 밀도가 낮아서 벽면으로 수직하게 입사하는 입자속도 작아 입자 성장에는 표면 대비 상대적으로 좋은 조건이 될 것 같습니다.  

따라서 입자 형성을 막기 위해서는 골 사이로 가스 유동이 존재하게 하거나, 공간에 trap되는 byproduct 들이 쉽게 나올 수 있도록 형상을 설계하는 방법, 그리고 플라즈마가 그속으로 쉽게 들어갈 수 있는 구조를 갖는 방법등이 있겠는데, 현실적이기 힘들 것입니다. 다만 유속을 조절하는 방법은 고려할 가치가 있어 보이고, 정기적 세정 리시피를 갖추는 방법이 오히려 효율적일 것이라는 생각을 합니다. (구조적 변화는 시간을 요하는 문제가 될 것이기 때문입니다)