Q&A

Q&A 게시판은 현재 아카이브 용도로만 유지되고 있으며 새로운 질문은 받지 않습니다. 질문사항이 있을 경우 seolhye.eedf@snu.ac.kr로 교수님께 이메일을 보내주시기 바랍니다.

The Q&A board is now kept as an archive only and no longer accepts new questions. If you have any questions, please email Prof. Seolhye Park at seolhye.eedf@snu.ac.kr.

Etch

DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]

작성자
작성일
2018-08-06
조회
7793

안녕하십니까?

 

DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.

 

공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.

 

확인부탁드립니다.

 

감사합니다. 수고십시오.

전체 1
  • 2018-08-21 11:29

    염근영교수님의 저서 "플라즈마 식각 기술 (미래컴 출판사)"를 추천합니다.