Q&A

Q&A 게시판은 현재 아카이브 용도로만 유지되고 있으며 새로운 질문은 받지 않습니다. 질문사항이 있을 경우 seolhye.eedf@snu.ac.kr로 교수님께 이메일을 보내주시기 바랍니다.

The Q&A board is now kept as an archive only and no longer accepts new questions. If you have any questions, please email Prof. Seolhye Park at seolhye.eedf@snu.ac.kr.

Monitoring Method

Plasma 발생영역에 관한 질문 [Plasma sheath의 형성과정]

작성자
작성일
2018-10-16
조회
3592

Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.

플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.

플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데

질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요? 

질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?

전체 2
  • 2018-10-30 10:04

    먼저 sheath 의 형성 과정을 이해하면 대부분 해결이 될 것입니다. 쉬스에 대해서는 본 게시판에서 상세하게 여러번 다뤘으니 참고하십시오. 아울러 모티터링에 대해서는 정의가 필요합니다. 아울러 monitoring 과 diagnostics 의 차이를 생각해 보시고, 모두 진단으로 해석이 가능해서 혼선이 있을 수 있으나, 진단계 (장치)와 진단대상의 물성이 잘 결합되어야 해석이 용이합니다. 따라서 플라즈마 쉬스를 잘 이해하는 것이 모니터링의 첫 단추를 끼우는 일이 되겠습니다. 그 후에 다음 문제를 고려해야 풀릴 것 같습니다. 현재 저희는 여러가지 방법으로 쉬스 특성을 모니터링하고는 있습니다만, 아직 현장에 투입한 경험은 없군요. 이 분야를 플라즈마 공정진단  이라 합니다.

  • 2018-10-30 12:01

    도움 주심에 감사 드립니다.