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Deposition

PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]

작성자
음월
작성일
2019-03-20
조회
4967

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.

 

다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로

 

많은 고뇌를 하고 있습니다.

 

SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.

 

원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)

 

쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,

 

혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.

 

이상입니다.

감사합니다.

전체 1
  • 2019-03-20 20:10

    저는 증착 경험이 많지 않습니다. 아마도 국립철도대학의 김성룡교수님, 고려대학의 홍문표 교수님, 군산대학교의 주정훈교수님께 여쭤보시면 좋은 해석을 얻지 않을까 합니다. 답변을 얻게 되면 제게도 알려 주십시오.

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