Q&A
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매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [RF plasma와 circuit model]
안녕하세요.
반도체 관련 업종에 취직한 신입입니다.
현재 사내 플라즈마 테스트 장비에서의 매쳐 값을 검토 하는 중 막히는 부분이 있는 중
장비를 뜯어보기도 어렵고, 전임자는 이미 퇴사하여 혼자 이것저것 찾으며 하려니 도움 청할데가 마땅히 없어서 글 올립니다..
매쳐의 테스트 결과 데이터를 뜯어본 내용은 다음과 같습니다
XC1 = (READ_AIO(RF_LOAD) + 0.00001) * 15 * 0.000000000001;
XC2 = (READ_AIO(RF_TUNE) + 0.00001) * 5 * 0.000000000001;
A = 3.141592 * 2 * 13560000;
d1 = Power(50, 2); 제곱
d2 = Power(1 / (A * XC1), 2); 제곱
R = (50 * d2) / (d1 + d2);
J = -(d1 * 1 / (A * XC1)) / (d1 + d2) + (A * 0.0000012) - (1 / (A * XC2));
결과는 대략 z=2.269+j56.126 정도 나옵니다.
얕은 지식으로는 XC1, XC2는 매쳐에서의 직, 병렬 가변 커패시터 값을,
A는 각속도 ω, J 에서 (A * 0.0000012) 값은 인덕터 값으로 보여집니다.
하지만 이외의 값들은 어떻게 저런 계산이 도출되었는지 이해가 되지 않습니다.
일반적인 L 타입 매쳐는 아닌 것으로 보여 상기 값으로 매쳐의 임피던스가 도출 되려면 어떤 회로로 구성되어있는지 알고 싶습니다.
도움 부탁 드립니다.
감사합니다.
쉽지 않은데, 이 문제는 전원 개발하는 회사에서 코멘트 해 주시면 도움이 클 것 같습니다. 매처 출력값에 대한 정의가 서로 다를 수도 있고 한데, 현업에서 사용하시는 정의에 입각해서 설명해 주실 수 있을 것 같군요. 도움을 부탁드립니다.
질문자께서는 안테나 (혹은 전극) 과 matcher 사이의 전압/전류/위상차에 대한 정보를 획득하려고 노력해 보시면 좋을 것 같습니다. 이는 플라즈마 부하 (load)를 해석함에 있어 필수 정보가 되며, 그 해석에는 회로 모델이라는 방법을 활용합니다. 전기적으로 결합하면 되는데, 일부 이 과정을 "RF플라즈마"라 부르기도 합니다. 플라즈마에서는 '플라즈마 장비 물리'라 표현하고, 전원에 의한 플라즈마 특성 변화까지 고려하는 시각을 견지합니다. 플라즈마로 부터 공정이 바뀐다고 보는 개념입니다. 따라서 전원(장비)-플라즈마-공정으로 생각의 흐름과 제어 기준을 가져 갈 수 있습니다.