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Remote Plasma

RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma]

작성자
유재민
작성일
2020-05-15
조회
5025

안녕하세요 교수님

현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.

FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고

Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.

1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?

2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?

감사합니다.

전체 1
  • 2020-05-26 10:18

    표면 식각 및 세정 화학반응을 전북대학교 임연호교수님 연구실 혹은 성균관대학교 염근영교수님 연구실로 문의드려 보십시오. 

    다만, Remote plasma는 소스 부와 반응부 사이의 거리가 먼 특징이 있는데, 소스 부에서 해리되어 생성된 세정 화학물 (라디컬)들이

    확산을 통해 타킷까지 전달되는 동안에 재결합 등을 통한 변화가 많아, 소스 부의 현상과 타킷 근방의 생성종의 밀도 변화는

    물리적으로 소스부의 가열특성과 확산 거리 (재결합 반응 길이)의 함수로서 결정될 수가 있겠습니다. 이 기준으로 입력 값을 해석하고

    이를 기반으로 표면에서 반응과 결합해서 해석하면 공정 제어 방법을 찾는데 도움이 될 것 같습니다. 

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