Q&A
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doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
안녕하세요.
반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.
다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.
Gas는 Cl2 N2 base로
Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는
SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데
Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는
Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.
혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?
P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서
그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?
Bonding energy나
Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서
결론을 못내리고 있습니다.
추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?
감사합니다.
이주현 드림.
지금은 잊었습니다만 관련 주제의 연구 결과를 읽은 적이 있습니다. 당연히 식각률이 달랐던 것으로 기억합니다. 선행 연구가 있으니 한번 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.
아울러 표면 화학과 관련해서는 전북대학교 임연호 교수님께서 MD 시뮬레이션 연구 결과를 참고하시면 도움이 되실 것 같습니다.