Q&A
Q&A 게시판은 현재 아카이브 용도로만 유지되고 있으며 새로운 질문은 받지 않습니다. 질문사항이 있을 경우 seolhye.eedf@snu.ac.kr로 교수님께 이메일을 보내주시기 바랍니다.
The Q&A board is now kept as an archive only and no longer accepts new questions. If you have any questions, please email Prof. Seolhye Park at seolhye.eedf@snu.ac.kr.
OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [수소, Ar 단원자 진단]
안녕하십니까, 플라즈마 관련하여 공부하고 있으며 디스플레이 업체에 근무하고있습니다.
몇 가지 궁금증이 있어서 글을 남기게 되었습니다.
OES의 경우 Plasma 정성적 특성을 계측하기 위하여 주로 사용된다고 알고 있습니다. 실제로 Gas 트랜드 및 Chamber 분위기 등의 변화를
계측할때 사용하고 있습니다.
그런데, OES를 가지고 정량적 측정을 한다는 이야기를 들어서 여쭤보려합니다.
(RGA를 이용한 방법은 몇 가지 논문을 확인하였으나, OES는 생소합니다.)
1. 정량적 측정을 하는 방식이 궁금합니다. (혹시 추천해줄 논문 or 자료가 있으시면 읽어보겠습니다.)
2. 현재 OES를 사용하여, Chamber 내 H(수소) 함량을 알려고 하는데 가능한지 여쭤보려합니다. (Ar 가스 or N2 가스가 아닙니다.)
3. 만약 가능하다면, 참고 할만한 자료가 있으면 추천 부탁드립니다.
*PECVD Deposition 공정에서 OES를 통한 H(수소) 함량에 따른 Wafer 막질의 변화를 확인하기 위하여 진행하려합니다.
여러가지 다양한 질문과 답변을 통하여 자료를 찾는데 많은 도움을 받고 있습니다.
감사합니다.
수소 또는 Ar 단원자 진단을 먼저 경험하시기를 추천합니다. 수소 관련해서는 전통적인 방법들이 많이 소개가 되어 있고, 아르곤에 대해서는 Boffard 연구와 X. Zhu 및 저희 연구실 논문 등을 참고하시면서 경험을 쌓아 가시면 좋을 것 같습니다.
먼저 사용하시는 OES 장치의 calibration 도 추천합니다.
이 경험을 기반으로 현 상태에서 OES full spectrum 에서 수소 신호를 찾아 보시고, 공정 조건에 따라서 변화가 큰 신호를 선택해서
자료로 만들어 보세요. peak 값의 변동을 기준으로 공정 결과 (막질) 분석 값을 모아 보시기 바랍니다. 이 변화는 기본적으로 플라즈마 밀도의 변화를 의미할 것입니다. 아마도 플라즈마 온도 변화가 크지 않다는 가정이고, 이 가정은 유지가 될 것 같습니다.
좋은 결과 얻어 보시길 바랍니다.