Q&A

Q&A 게시판은 현재 아카이브 용도로만 유지되고 있으며 새로운 질문은 받지 않습니다. 질문사항이 있을 경우 seolhye.eedf@snu.ac.kr로 교수님께 이메일을 보내주시기 바랍니다.

The Q&A board is now kept as an archive only and no longer accepts new questions. If you have any questions, please email Prof. Seolhye Park at seolhye.eedf@snu.ac.kr.

Etch

애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing]

작성자
bokweng
작성일
2023-06-16
조회
3330

 

안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

전체 1
  • 2023-06-17 08:28

    이미 반응식으로 부터 부산물 생성량을 추론해 볼 수 있을 것 같은데, 자신있게 해 보세요.

    참고자료로는 Chap 15. section 3, "Principles of Plasma Discharges and Materials Processing" (M.A. Lieberman and A.J. Lichtenberg) 참고하면 좋습니다. 훌륭한 졸업 논문이 되겠군요. 

목록보기