Q&A
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Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [Impedance matching 이해]
안녕하세요 교수님, 지난 micro arc 답변 감사드립니다.
오늘은 임피던스 i 값 관련 질문드립니다, impedance i값이 제 예상과 달라, 어떤 부분을 추가로 고려해야할지 여쭙습니다.
CCP type의 pecvd 이고 상황은 이렇습니다.
서로 다른 recipe A, recipB가 있는데, A가 B보다 power가 높아 imp i가 더 작은 음수 값을 가질 것으로 예상했습니다. 이유는 debye length에 따른 쉬스길이가 더 길것이기 때문입니다.(Xc=1/jwc)
하지만 파워값이 적은 B recipe가 오히려 더 낮은 음수값을 가졌습니다.
파워 이외에 어떤 변수에 의해 B recipe가 imp i값이 더 작을까요?
B 와 A는 서로 다른 gas를 사용하고, 유량도 다르게 사용됩니다.
다만 공정진행 압력은 둘다 비슷하여 플라즈마 밀도나 전자온도를 어떻게 해석해야 맞는지 조언 부탁드립니다.
아래는 대략적인 rcp 입니다, 참고 부탁드립니다.
A B
Power : 500 100
Total Gas : 15000 5000(sccm)
Imp I. : -4 -8
공정 압력. : 5 7
Impedance matching 을 공부해 보시면 쉽게 해결이 될 것 같습니다. 헌데 먼저, plasma impedance와 정합이 되는 것이니 plasma impedance에 대해서도 같이 공부해서 인자를 넣을 수 있어야 합니다. Lieberman 등의 교재에서 matching network (469쪽)에서 matcher cap position 값의 유도를 공부해 보시기를 추천합니다. ICP와 CCP의 impedance는 모두 sheath와 collision에 의한 inductance와 resistance로 가정하시면 좋을 것 같군요.