Q&A
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ICP
ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath]
Author
Date
2023-01-18
Views
4706
안녕하세요 ICP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있는 학부생입니다. 현재 제가 사용하는 ICP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 라는 파라미터가 존재합니다. 제가 알고 있는 바로는 Upper power는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용도라고 생각을 했고, lower power는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용도라고 생각을 했습니다. 하지만 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문을 드립니다.
또한 절연체 층을 식각할 때는 RF bias를 가하고, 메탈 층을 식각할 때는 RF bias를 가하지 않는데 어떤 이유인지 궁금합니다.
- RF 로 이온 에너지를 어떻게 조절하는지를 이해하면 답을 찾을 수 있을 것 같습니다. RF 은 전원, 즉 플라즈마 생성용으로도 사용하고, 바이어스 용으로도 사용을 합니다. 이를 이해하려면, 플라즈마 관련 교재에서 self bias 및 RF 쉬스와 가열 현상에 대해 공부해 보면 좋겠군요. 왜 RF를 이용하는지 이해하실 수 있을 것으며, 관련 내용에 대해서는 본 게시판에서도 여러번 다룬 주제들 입니다. 잘 활용해 보시고, RF 플라즈마 주제로 공부해 보세요. 현장에서 잘못 사용하는 RF power 의 jargon 과는 명확하게 구별합니다. 참고하시고 공부해 보세요.