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Matcher
Impedence 위상관련 문의 [Circuit model, matching]
작성자
작성일
2017-06-30
조회
3363
안녕하세요. 전에도 몇번 질문드렸었습니다만,, 반도체 관련회사에서 근무하고 있습니다.
RF (ICP)장비를 다루고 있는데 impedence 위상관련해서 문의 좀 드리려고 합니다.
impedence 매칭은 저항과 위상으로 조정하데..
공정 parameter (Ar pressure , AC power 등)의 변화로 위상이 변화할수 있을까요?
변화된다면 어떤 이유로 변화되는지 조금 자세하게 설명을 듣고 싶습니다..
그리고 정말 죄송한데 smith chart program 을 사용하고 싶은데..도움 받을 site가 있을까요?
검색해서 찾아봐도 알수 없는 site로 이동이 되서...찾기가 어렵습니다만..
우리가 하나의 회로로 플라즈마를 놓는다면 capacitance (쉬스), diode (이온 전류), 및 저항 ( 총돌에 의한 에너지 전달: Ohmic heating 과 Stochastic heating) 값, 그리고 inductance (충돌로 인한 플라즈마 전류 위상차이)로 표현이 가능할 것입니다. 이를 종합해서 플라즈마 임피던스라 하고, 특히 RF 에 영향을 미치는 cap/inductance 항이 플라즈마 밀도와 온도 그리고, 충돌 함수이므로, 운전 전력과 압력에 따라서 matching position 이 바뀔 수 밖에 없겠습니다. 때로 연구자들은 회로 모델이라 부르는 해석 방법을 연구하기 합니다.