우리가 이온 에너지를 먼저 정의할 필요가 있습니다. 일반 적으로 이온 에너지라 함은 이온의 열에너지 (이온 온도)가 있고, 이온이 쉬스에서 얻은 운동에너지를 생각해 볼 수가 있습니다.

1. 열에너지는 가속 전자와의 충돌로 얻겠고, 주변의 중성입자들과의 충돌로 잃겠으며 이들이 균형을 가진 상태의 값을 이온 온도라 할 수가 있겠습니다.

2. 다음으로 이온을 가속시키는 쉬스 에너지는 플라즈마의 전자와 이온 간의 이동도(mobility) 가 차이가 나서 플라즈마와 경계면 사이에서 생기는 전위차, 즉 전기장의 크기입니다. 따라서 이온의 운동에너지는 쉬스전위값에 비례하게 되고, 이는 전자, 특히 고속 전자들과 이온의 벽으로 손실 값, flux가 균형을 이루면서 만들게 되는 크기 입니다.

따라서 여기서 다룬 전자들과 이온, 그리고 쉬스 전위들은 플라즈마 가열되는 특징과 연관이 됩니다. 즉, 가열의 특징에 따라서 고속전자 혹은 전자온도, 이온 수(준 중성상태로 이온밀도와 전자밀도는 유사), 그리고 전위들이 영향을 받게 됩니다. 플라즈마 상태를 간단한 모델로 만들어서, 일반적으로 입자 균형 모델(생성 플라즈마 입자 수와 소멸 수 균형) 과 전력 균형 모델 (입력 전력 대비 플라즈마 생성에 들어가는 전력 균형)으로 부터 밀도와 온도 예측이 가능하게 되며, 이는 바로 회로 모델화도 가능하게 합니다. 일반적으로 ICP의 회로 모델은 변압기 모델을 많이 쓰면 대부분의 교재에서 소개가 되어 있습니다. 이를 통해서 해석적으로 밀도/온도를 추론할 수 있게 되며, 온도를 예측하게 되면 플라즈마 전위-부유 전위 값으로 형성되는 쉬스 (이온에너지)를 추적할 수가 있게 됩니다. (수식은 교재등을 참고하면 되겠고, 또한 본 게시판의 설명을 참고하면 되겠습니다.)

감사합니다. 정확히는 모르겠지만 무엇을 혼동하고 있었는지는 알게 되었습니다. 알려주신대로 다시한번 알아보도록 하겠습니다. 감사합니다! ㅎㅎ