Q&A
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surface wave plasma에 대해서 [Microwave와 electron temperature]
안녕하세요.. 저는 이태효라고 합니다.
플라즈마에 대해서 이것저것 공부하던 중에 high density plasma 방법중에 마이크로 웨이브를 이용한 방법이 있는 것을 보았습니다.
보통 CCP나 ICP 또는 Helicon plasma 그리고 ECR에 대해서는 어느정도 방법이 나와있지만 마이크로파를 이용한 surface wave plasma에 대해서는 자료가 거의 없더군요....
해서 게시판에 매번 눈팅만 하다가 질문을 올리게 됐습니다.
1. 첫째로 마이크로파를 이용한 플라즈마 방식이 있는데 이것에 대한 플라즈마를 발생시키는 원리에 대해서 알고 싶습니다.
- 플라즈마 일렉트로닉스란 책도 참고로 보았지만 잘 이해가 안가네요...;;;;
2. 두번째로 마이크로파를 이용한 플라즈마 방식은 전자온도가 낮다고 들었는데요... 이유가 어떤건지도 궁금합니다.
- ECR 도 마이크로 웨이브를 이용하는데 이건 일반적인 ICP보다 전자온도가 높은것으로 알고 있는데요.. SWP에 대한 원리를 몰라서 그런지 왜 전자온도가 낮은지 아무리 생각해도 잘 모르겠네요.
매번 게시판을 잘 이용하고 있고 많은 도움을 받고 있습니다.
그럼 하시는 연구 잘되기를 바라구요... 답변 부탁드립니다. 감사합니다.
2. 전자온도가 절대적으로 낮은건 아니고, Microwave source 쪽으로 plasma 영역이 매우 얇게 형성되면서 멀어질수록 전자온도가 급격하게 떨어집니다. 방식의 차이때문에 생기는 이점이면서 약점이기도 합니다.